SZMM3Z12VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12.24 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压温度系数 6 mV/K to 10 mV/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
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SZMM3Z12VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z13VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 13.49 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压温度系数 7 mV/K to 11 mV/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z13VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 13 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z16VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压温度系数 14 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z16VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z18VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18.35 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压温度系数 12.4 mV/K to 16 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z18VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z20VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20.46 V、耗散功率（Pd） 300 mW、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z22VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 22 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 20 mV/K、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω，采用 SOD323-2 封装。
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