1SS423(TE85L,F)
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 100 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 SSM-3 封装。
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芯片技术资料
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1SS424(TL3,F,T)
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 125 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 ESC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1SS424(TPL3,F)
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1SS427,L3M
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 1 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 1.6 ns，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching2SS40
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.55 V、正向浪涌电流（Ifsm） 60 A，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers2SS40L
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.55 V、正向浪涌电流（Ifsm） 60 A，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersBSS4130AHZGT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBSS4130AT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBSS44
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCY8C4025LQSS413XQLA1
Infineon Technologies
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 10 位、输入／输出数 34 个输入／输出、ADC 通道数 16 个通道，采用 QFN-40 封装。
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