MSC080SMA120S
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C，采用 D3PAK-3 封装。
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MSC080SMA120S
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 35 A、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 D3PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120SA
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 35 A、漏源导通电阻（Rds On） 80 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120SCT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 PSMT-16 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120SCT/RM
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 mSiC MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 38 A，采用 TO-268-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120SDT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 43 A、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC080SMA120SDT/RM
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC140SMA120B
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 175 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMSC140SMA120S
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 175 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C，采用 D3PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMSC180SMA120B
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 180 mOhms、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-247-4 封装。
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