原型号
查看详情 · 1 条候选SM502GE08LF02-AC
Silicon Motion, Inc.
- SM502GX08LF02-ACSilicon Motion, Inc.直接替代候选
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来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TSM500P02CX RFG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 4.7 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTSM500P02DCQ RFG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 4.7 A，采用 TDFN-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTSM5055DCR RLG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 38 A, 107 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET