CS3D-E3/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers搜索结果
原厂资料
11 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
| 2026-01-06 | 查看资料 |
| AS3D | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| U3D-E3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-E3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| NTBGS3D5N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| S3DB | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| S3DBF | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| FDWS9508L-F085 | onsemi |
| 2021-12-21 | 查看资料 |
| FDB9506L-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
CS3D-E3/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersCY8C6245LQI-S3D42
Infineon Technologies
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz, 150 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 250 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 7 位、输入／输出数 53 个输入／输出，采用 QFN-68 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUCY8C6245LQI-S3D72
Infineon Technologies
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz, 150 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 250 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 7 位、输入／输出数 53 个输入／输出，采用 QFN-68 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUES3D
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D
onsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 115 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D R6
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D R6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D R7
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
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