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原厂资料

11 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NRVTSA3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSA3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSAF3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
PDS3100-13-2477Diodes Incorporated
  • PDS3100-13
2023-05-15查看资料
HS3102-MC1Renesas
  • HS3101-MC1
2023-04-14查看资料
HS3102-ML1Renesas
  • HS3101-ML1
2023-04-14查看资料
HS3104Renesas
  • HS3103
2023-04-14查看资料
HS3104-MC1Renesas
  • HS3103-MC1
2023-04-14查看资料
HS3104-ML1Renesas
  • HS3103-ML1
2023-04-14查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

AUIPS1021R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

AUIPS2031R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

BTS3104SDLATMA1

Infineon Technologies

查看详情 · 3 条候选
  • BTS3104SDRATMA1Infineon Technologies参数相近
原型号

TPS3103K33DBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选
  • TPS3103K33DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

144 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SCS310AHGC9

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.35 V at 10 A、正向浪涌电流（Ifsm） 82 A，采用 TO-220ACP-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SCS310AJTLL

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.35 V at 10 A、正向浪涌电流（Ifsm） 82 A，采用 TO-263AB-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SCS310AMC

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.35 V at 10 A、正向浪涌电流（Ifsm） 82 A，采用 TO-220FM-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SCS310AMC7G

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 82 A、反向电流（Ir） 50 uA，采用 TO-220FM-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes
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SCS310APC9

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.35 V at 10 A、正向浪涌电流（Ifsm） 82 A，采用 TO-220ACP-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SMS3100

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 790 mV，采用 DO-213AB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SN65LVDS310ZQCR

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 1.65～1.95 V、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.65 V、数据速率 405 Mb/s、类型 Deserializer、输入类型 SubLVDS，采用 BGA-Microstar-Junior-48 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Serializers & Deserializers - Serdes
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SS310 R6

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V，采用 DO-214AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SS310 R6G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 70 A、配置 Single，采用 DO-214AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SS310 R7

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 75 A，采用 DO-214AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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