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Analog Devices Inc.
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Analog Devices Inc.
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IRFHM8330TRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 16 A，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFHM8334TRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 13 A，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFHM8337TRPBF
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFHM8342TRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFHM8363TRPBF
Infineon / IR
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRSM836-015MA
Infineon / IR
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 12 mm、宽度 12 mm、湿敏性 是、商品名称 CIPOS、型号别名 SP001544314，采用 PQFN-36 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversIRSM836-015MATR
Infineon Technologies
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 12 mm、宽度 12 mm、湿敏性 是、商品名称 CIPOS、型号别名 SP001543360，采用 PQFN-36 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversIRSM836-024MA
Infineon / IR
主要参数包括工作电源电压 20 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、类型 Integrated Power Hybrid IC、产品 Fan / Motor Controllers / Drivers、工作电源电流 125 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 PQFN-36 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversIRSM836-024MATR
Infineon / IR
主要参数包括商品名称 CIPOS、型号别名 SP001541154。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversIRSM836-025MA
Infineon / IR
主要参数包括工作电源电压 13.5～16.5 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、类型 Integrated Power Hybrid IC、产品 Fan / Motor Controllers / Drivers、工作电源电流 10 mA，采用 PQFN-36 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers