ES2DHE3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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ES2DHL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 5 uA，采用 SOD-123HL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DHM3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Ultra Fast Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DHM3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DHM4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DHR4
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DHR4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DHR5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、配置 Single、认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2DJ
Nexperia
主要参数包括类型 Hyperfast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2.8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
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