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Infineon Technologies
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M2S150-1FCG1152
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA SoCM2S150-1FCG1152I
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括逻辑单元数 146124、逻辑阵列块（LAB）数 12177、湿敏性 是，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2S150-1FCG1152I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA SoCM2S150-FCG1152
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括逻辑单元数 146124、逻辑阵列块（LAB）数 12177、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2S150-FCG1152
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA SoCM2S150-FCG1152I
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括逻辑单元数 146124、逻辑阵列块（LAB）数 12177、湿敏性 是，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2S150-FCG1152I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA SoCM2S150T-1FCG1152
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括逻辑单元数 146124、逻辑阵列块（LAB）数 12177、湿敏性 是，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2S150T-1FCG1152
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA SoCM2S150T-1FCG1152I
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括逻辑单元数 146124、逻辑阵列块（LAB）数 12177、湿敏性 是，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array