2BZX84C9V1
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 SOT-23 封装。
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SZBZX84C9V1ET1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、认证等级 AEC-Q101。
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onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 7 mV/K、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 3.8 mV/K to 7 mV/K、稳压管电流 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZBZX84C9V1LT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 3.8 mV/K to 7 mV/K、稳压管电流 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-23-3 封装。
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