BC807-25,235
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
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芯片技术资料
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BC807-25-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV、最大直流集电极电流 - 1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25-7-F-W
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-236AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25FSW-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC807-25FSWQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT