A8650KLYTR-T
Allegro MicroSystems
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注:厂商推荐
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SURA8120T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SURA8140T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SURA8160T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SBRA8160T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| KSA812YMTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| INA118P | Texas Instruments |
| 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 720 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A、反向电流(Ir) 5 mA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.72 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 4.5 A,采用 PowerPAK-SC70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 4.5 A,采用 PowerPAK-SC70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsVishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、型号别名 SIA813DJ-GE3、单件重量 0.000988 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 4.5 A,采用 PowerPAK-SC70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 4.5 A,采用 SC-70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.6dB Gain 26.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.4dB Gain 25.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 20-500MHz NF 2.9dB Gain 24.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier