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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
VS-80RIA80PBF	Vishay	VS-80RIA80	2025-11-04	查看资料
VS-81RIA80PBF	Vishay	VS-81RIA80	2025-11-04	查看资料
GSIB6A80-E3/45	Vishay	GSIB680-E3/45	2021-04-26	查看资料
GSIB6A80N-M3/45	Vishay	GSIB680N-M3/45	2021-04-26	查看资料
FSA8500UCX	onsemi	FSA8049UCX	2020-04-01	查看资料
FSA805UMX	onsemi	FSA1153UCX	2019-07-16	查看资料
TDA8020HL/C2,151	NXP	TDA8035HN/C2/S1QL		查看资料
TDA8024T/C1,518	NXP	TDA8035HN/C2/S1J		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

13 个原型号

原型号

A8513KLYTR-3-T

Allegro MicroSystems

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

A80603KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐

原型号

IDT71V3557SA80BQI

Renesas Electronics Corporation

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71V3556SA100BQIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

IDT71V3577SA80BQGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

71V35761SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号

原型号

PEX8614-BA50BC G

Broadcom Limited

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

PEX8713-CA80BC GBroadcom Limited第三方标注：厂商推荐

原型号

S-1011E80-M6T1U4

ABLIC Inc.

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1011A80-M6T1U4ABLIC Inc.参数相近

原型号

SPC5644AF0MVZ3

NXP USA Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

SPC564A80B4CFARSTMicroelectronics相似型号

原型号

SPC564A80B4COBY

STMicroelectronics

查看详情 · 12 条候选

SPC5644AF0MVZ2NXP USA Inc.直接替代候选

原型号

TA4808BF(T6L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

BA80BC0FP-E2Rohm Semiconductor直接替代候选

原型号

TDA8029HL/C207,118

NXP USA Inc.

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PN7412AUHN/C300YNXP USA Inc.相似型号

原型号

TDA8029HL/C207,151

NXP USA Inc.

查看详情 · 1 条候选

PN7412AUHN/C300ENXP USA Inc.相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

521 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BA80JC5T

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 8 V、输出电流 1.5 A、输出类型 Fixed、类型 Voltage Regulator、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 16 V，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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CA8064901406200S R0Y7

Intel

主要参数包括最大时钟频率 1.1 GHz、产品 Server Processors、产品系列 Intel Xeon、内核 Intel Xeon、代号 Knights Landing、内核数 61 Core，采用 FCBGA-3600 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units

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CA8064901406400S R0Y8

Intel

主要参数包括最大时钟频率 1.1 GHz、产品 Server Processors、产品系列 Intel Xeon、内核 Intel Xeon、代号 Knights Landing、内核数 60 Core，采用 FCBGA-3600 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units

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CA8064901406802S R115

Intel

主要参数包括最大时钟频率 1.1 GHz、产品 Server Processors、产品系列 Intel Xeon、内核 Intel Xeon、代号 Knights Landing、内核数 57 Core，采用 FCBGA-3600 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units

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CA8064901437700S R0ZL

Intel

主要参数包括最大时钟频率 1.1 GHz、产品 Server Processors、产品系列 Intel Xeon、内核 Intel Xeon、代号 Knights Landing、内核数 57 Core，采用 FCBGA-3600 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units

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CD1A80

Microchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

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CDLL1A80

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

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CDLL1A80

Microchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

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CLA80E1200HF

IXYS

主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 126 A、额定重复断态电压（VDRM） 1.2 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 mA、通态电压 1.38 V、最大维持电流（Ih） 100 mA、门极触发电压（Vgt） 1.5 V，采用 PLUS-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR Modules

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CLA80MT1200NHB

IXYS

主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 1.2 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 70 A、正向电压（Vf） 1.3 V、门极触发电压（Vgt） 1.7 V、门极触发电流（Igt） 70 mA，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs

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