R8A774C0HA01BG#G0
Renesas Electronics Corporation
- R8A774C0HA01BG#GARenesas Electronics Corporation直接替代候选
技术资料参考
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Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 10 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、最大集电极截止电流 100 nA,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 10 V,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括原产国家或地区 IN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsCentral Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 10 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、最大集电极截止电流 100 nA,采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsCentral Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsCentral Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsRenesas Electronics
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 192 kB、ADC 分辨率 14 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 102 个输入/输出,采用 BGA-121 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCURenesas Electronics
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 192 kB、ADC 分辨率 14 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 82 个输入/输出,采用 LGA-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCURenesas Electronics
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 192 kB、ADC 分辨率 14 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 124 个输入/输出,采用 LGA-145 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCURenesas Electronics
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 192 kB、ADC 分辨率 14 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 124 个输入/输出,采用 LQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU