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Torex Semiconductor Ltd
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技术资料参考
芯片技术资料
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NE80567KF0288M S LAB9
Intel
主要参数包括商品名称 Itanium、型号别名 890610。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsOPA615ID
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12.4 V、电源电压（最小值） 8 V、双电源电压 +/- 4 V to +/- 6.2 V、最大双电源电压 +/- 6.2 V、最小双电源电压 +/- 4 V，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Transconductance AmplifiersOPA615IDGSR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12.4 V、电源电压（最小值） 8 V、双电源电压 +/- 4 V to +/- 6.2 V、最大双电源电压 +/- 6.2 V、最小双电源电压 +/- 4 V，采用 MSOP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Transconductance AmplifiersOPA615IDGST
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12.4 V、电源电压（最小值） 8 V、双电源电压 +/- 4 V to +/- 6.2 V、最大双电源电压 +/- 6.2 V、最小双电源电压 +/- 4 V，采用 MSOP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Transconductance AmplifiersOPA615IDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12.4 V、电源电压（最小值） 8 V、双电源电压 +/- 4 V to +/- 6.2 V、最大双电源电压 +/- 6.2 V、最小双电源电压 +/- 4 V，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Transconductance AmplifiersP1602AA61
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 95 V, 190 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 65 V, 130 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)P2000AA61RP
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 220 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 180 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 50 mA，采用 Modified-TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)P2103AA61
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 250 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 170 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)P2400AA61RP
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 260 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 220 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)P2400AA61TP
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 260 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 220 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)