原型号
查看详情 · 1 条候选LA5779-E
onsemi
- BD9702CP-V5E2Rohm Semiconductor相似型号
搜索结果
原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NE570DR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| LA5724MC-BH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
SMA57
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 4.8dB Gain 14.7dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSTWA57N65M5
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 42 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTMS320C203PZA57
Texas Instruments
主要参数包括最大时钟频率 57 MHz、数据 RAM 容量 1088 B、工作电源电压 5 V、指令类型 Fixed Point、产品 DSPs、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSCTMS320LBC53SPZA57
Texas Instruments
主要参数包括最大时钟频率 57 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 8.0625 kB、工作电源电压 3.3 V、指令类型 Floating Point、产品 DSPs，采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSCZXMP4A57E6TA
Diodes Incorporated
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 3.7 A，采用 SOT-26-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET