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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FMMTA56TA	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
FMMTA56TA-79	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
LA5693MD-AH	onsemi	TPS7XXX	2020-09-29	查看资料
LA5693MC-AH	onsemi	LA5693MD-AH		查看资料
OPA561	Texas Instruments	OPA564		查看资料
SA56004AD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CDP,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

22 个原型号

原型号

93AA56-I/P

Microchip Technology

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93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93AA56AT-I/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56B-I/SN

Microchip Technology

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93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56C-I/MS

Microchip Technology

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93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93C56BT-I/MS

Microchip Technology

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93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A-I/P

Microchip Technology

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93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56B/ST

Microchip Technology

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93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

AT93C56-10SI-2.7

Microchip Technology

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93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

AT93C56-10TI-2.7

Microchip Technology

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技术资料参考

芯片技术资料

168 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BZT52H-A56X

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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BZX384-A56-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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BZX384-A56X

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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CDBA560-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 5 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 125 A，采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

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CMBTA56

Rectron

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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CMPTA56 TR

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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CMPTA56 TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DMA561090R

Panasonic

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SMini5-F3-B 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-Biased

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DP83847ALQA56A/NOPB

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 MII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Ethernet Transceivers，采用 WQFN-56 封装。

半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICs

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DP83847ALQA56AX/NOPB

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 MII、数据速率 100 Mb/s、产品 Ethernet Transceivers、收发器数 1 Transceiver、最小工作温度 0 C，采用 WQFN-56 封装。

半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICs

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