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Lattice Semiconductor Corporation
- ATF1504AS-10AU44Microchip Technology相似型号
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芯片技术资料
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BZT52H-A56X
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX384-A56-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX384-A56X
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCDBA560-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 5 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.75 V、正向浪涌电流（Ifsm） 125 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersCMBTA56
Rectron
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCMPTA56 TR
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCMPTA56 TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDMA561090R
Panasonic
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SMini5-F3-B 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedDP83847ALQA56A/NOPB
Texas Instruments
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 MII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Ethernet Transceivers，采用 WQFN-56 封装。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsDP83847ALQA56AX/NOPB
Texas Instruments
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、接口类型 MII、数据速率 100 Mb/s、产品 Ethernet Transceivers、收发器数 1 Transceiver、最小工作温度 0 C，采用 WQFN-56 封装。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICs