7142LA55CB
IDT
主要参数包括高度 3.3 mm、长度 61.72 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7142 IDT7142LA55CB，采用 CDIP-SB-48 封装。
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芯片技术资料
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7142LA55L48B
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 LCC-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7142SA55C
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7142SA55CB
IDT
主要参数包括高度 3.3 mm、长度 61.72 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7142 IDT7142SA55CB，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7142SA55L48B
IDT
主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7142 IDT7142SA55L48B，采用 LCC-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7143LA55G
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7143LA55GB
IDT
主要参数包括高度 3.68 mm、长度 29.46 mm、宽度 29.46 mm、型号别名 7143 IDT7143LA55GB，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7143SA55G
IDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7143SA55GB
IDT
主要参数包括高度 3.68 mm、长度 29.46 mm、宽度 29.46 mm、型号别名 7143 IDT7143SA55GB，采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMADSP-SC596BBPZ10
Analog Devices
主要参数包括最大时钟频率 1 GHz, 1.2 GHz、数据 RAM 容量 2 MB、输入／输出数 135 个输入／输出、定时器／计数器数 16 个定时器、工作电源电压 1.71～1.89 V、电源电压（最大值） 1.89 V，采用 BGA-400 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSC