AD8554ARZ-REEL
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- OPA4342UATexas Instruments相似型号
16 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| LA431NHPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA431NYPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA431OHPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA432NHPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA4320AAAEA | Diodes Incorporated |
| 2022-03-30 | 查看资料 |
| LA4320AAAEB | Diodes Incorporated |
| 2022-03-30 | 查看资料 |
| KST43MTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| ADA4304-3ACPZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4304-4ACPZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4310-1ACPZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4311-1ARHZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4302-4ACP-REEL | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
| 1SMA43CAT3G | onsemi |
| 查看资料 | |
| OPA4342 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| OPA4345 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| OPA4347UA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
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Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 1 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 2 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 SOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 0.5 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 1 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 SOT-23F-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 1 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 SOT-23F-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 0.5 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 SOT-23F-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 0.5 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 SOT-23F-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 2 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V、分流电流(最大值) 100 mA,采用 SOT-23F-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 2 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压(最大值) 37 V,采用 SOT-23F-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 950 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 4.38 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Supervisory Circuits