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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX21333002Diodes Incorporated
  • HX2A333003
2024-06-25查看资料
KA339onsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339Aonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339ADTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339DTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

115 个原型号
原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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  • XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

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  • LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

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  • LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

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  • INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

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  • XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

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  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

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  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BA33DD0WHFP-TR

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、最小工作温度 - 40 C,采用 HRP-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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BA33DD0WT

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压(最大值) 25 V,采用 TO-220-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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BA33E00WHFP-TR

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.3 V, Adj、输出电压范围 800 mV to 3.3 V、输出电流 600 mA, 600 mA、输出类型 Adjustable, Fixed、类型 Low Saturation Regulator、输出数 2 Output,采用 HRP-7 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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BA33JC5T

ROHM Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 1 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、高度 8 mm、长度 10 mm,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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BTA330-800BTQ

WeEn Semiconductors

主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 30 A、非重复通态电流 297 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 0.4 mA、通态电压 1.2 V、最大维持电流(Ih) 75 mA,采用 TO-220AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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BTA330X-800BTQ

WeEn Semiconductors

主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 30 A、非重复通态电流 297 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 0.4 mA、通态电压 1.2 V、最大维持电流(Ih) 75 mA,采用 TO-220F-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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BTA330Y-800BTQ

WeEn Semiconductors

主要参数包括型号别名 934069628127。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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BTA330Y-800CTQ

WeEn Semiconductors

主要参数包括型号别名 934069627127。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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BZT52H-A33-QX

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZT52H-A33X

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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