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查看详情 · 1 条候选AT97SC3204T-U1A180
Microchip Technology
- AT97SC3204T-U2A1B-10Microchip Technology直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
INA180B3QDBVRQ1
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 8 mA、放大器类型 Low Side and High Side Current Sense Amplifier、输出类型 Rail-to-Rail，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA180B4IDBVR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 8 mA、放大器类型 Current Sense、增益带宽积（GBP） 105 kHz，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA180B4IDBVT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 8 mA、放大器类型 Current Sense、增益带宽积（GBP） 105 kHz，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA180B4QDBVRQ1
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 8 mA、放大器类型 Low Side and High Side Current Sense Amplifier、输出类型 Rail-to-Rail，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersIPA180N10N3 G
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 28 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA180N10T2
IXYS
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 180 A、漏源导通电阻（Rds On） 6 mOhms、商品名称 HiPerFET，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA180N10T2-TRL
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 180 A、漏源导通电阻（Rds On） 6 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA180N10T
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 180 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA180N10T-TRL
IXYS
主要参数包括商品名称 Trench。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA180N10T7
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 180 A，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET