原型号
查看详情 · 20 条候选74AVC1T45FW5-7
Diodes Incorporated
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 12 条候选74AVC1T45GS,132
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 13 条候选74AXP1T45GXZ
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SD/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SDE/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 10 条候选NTS0101GS,132
NXP USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选PIC24F08KA101T-I/SS
Microchip Technology
- PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选QS4A101QG
Renesas Electronics Corporation
- QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选XC6603A101ER-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
KBJA1010-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 JB-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKSA1010YTU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.6 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA1010YTU
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA1013YBU
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 160 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.5 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA1013YBU
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA1013YTA
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 160 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.5 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA1013YTA
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA1015YTA
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTKSA1015YTA
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTLDA101
IXYS Integrated Circuits
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、商品名称 Clare。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers