TMS320F28022DAS
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 12 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 10 位、输入／输出数 20 个输入／输出，采用 TSSOP-38 封装。
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TMS320F28022DAT
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、程序存储容量 16 kB、数据 RAM 容量 6 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 TSSOP-38 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTMS320F28022PTQ
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、程序存储容量 16 kB、数据 RAM 容量 6 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 22 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTMS320F28022PTS
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、程序存储容量 16 kB、数据 RAM 容量 6 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 22 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTMS320F28022PTSCA
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括ADC 分辨率 12 位、ADC 通道数 13 个通道、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 1.89 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTMS320F28022PTT
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 12 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 22 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUAPTGT50A120T1G
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 75 A，采用 SP1-12 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesPSC1665LQ
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 16 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 650 A、反向电流（Ir） 1 uA，采用 TO-247-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesPSC20120LQ
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 710 A、反向电流（Ir） 1 uA，采用 TO-247-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesPSC2065LQ
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 780 A、反向电流（Ir） 1 uA，采用 TO-247-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes