MJF18004G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 0.92 V，采用 TO-220FP-3 封装。
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MJF18004G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMPN080045
MACOM
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 TH。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > PIN DiodesMP8004GQW-P
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～6 V、类型 Powered Device - PD、标准 802.3af、限流值 420 mA、导通电阻（最大值） 1 Ω、最大工作温度 + 125 C，采用 QFN4x6-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LANMP8004GQW-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LANPAM8004DR
Diodes Incorporated
主要参数包括产品 Audio Amplifiers、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersPE8004-P
Pasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.376000 oz。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF DetectorPM8004C-F3EI
Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - I/O ExpandersQ8004D3RP
Littelfuse
主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 4 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsQ8004D4RP
Littelfuse
主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 4 A、非重复通态电流 46 A, 55 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态电压 1.6 V、最大维持电流（Ih） 30 mA，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs