FDB44N25TM
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
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FDPF44N25T
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDPF44N25T
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsFDPF44N25TRDTU
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 44 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFQD4N25TM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFQT4N25TF
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPB64N25S3-20
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 64 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPB64N25S320ATMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 64 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXBF14N250
IXYS
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversIXBH14N250
IXYS
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.229281 oz。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers