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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

STPS80H100TV

STMicroelectronics

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 80 A (2 x 40 A)、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 ISOTOP 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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STPS80L60CY

STMicroelectronics

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 80 A (2 x 40 A)、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-247-MAX 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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TBS806

Taiwan Semiconductor

主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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TBS808

Taiwan Semiconductor

主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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TK100A08N1,S4X

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK35A08N1,S4X

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 35 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK46A08N1,S4X

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 46 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TK72A08N1,S4X

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 72 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TLS805B1LDV33XUMA1

Infineon Technologies

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 50 mA、输出类型 Fixed、类型 Linear Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 5.5 uA，采用 TSON-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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TLS805B1LDV50XUMA1

Infineon Technologies

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 50 mA、输出类型 Fixed、类型 Ultra Low Quiescent Current Linear Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 5.5 uA，采用 TSON-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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