ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原厂资料

7 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PI7C9X20303ULAZPEXDiodes Incorporated
  • PI7C9X2G304EVAZXAEX
2026-01-22查看资料
IHCM2321AAEG301N10Vishay
  • ICMS2321AGEG281N10
2025-09-11查看资料
G30H150CTFWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCTSP
2022-08-29查看资料
G30H150CTWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCT
2022-08-29查看资料
RHRG1560CC-F085onsemi
  • RURG3060CC-F085
2021-04-08查看资料
CG10167AAInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
查看资料
CG10167AATInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

26 个原型号
原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选
  • DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选
  • DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注:厂商推荐
原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选
  • DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

RURG3060-F085

onsemi

主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 30 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.26 V、最大浪涌电流 90 A,采用 TO-247-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

RURG3060CC

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为二极管,主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 325 A、正向电流(If) 30 A、配置 Dual、恢复时间 60 ns,采用 TO-247 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
查看技术资料

RURG3060CC-F085

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 30 A、配置 Dual、正向电压(Vf) 1.26 V、最大浪涌电流 90 A,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

S-1335G30-A4T2U3

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3 V、输出电压范围 1~3.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS Voltage Regulator、输出数 1 Output,采用 HSNT-1010-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
查看技术资料

S-13A1G30-E6T1U3

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3 V、输出电压范围 1~3.5 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 High Ripple Rejection Voltage Regulater、输出数 1 Output,采用 HSOP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
查看技术资料

S-13A1G30-U5T1U3

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3 V、输出电压范围 1~3.5 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 High Ripple Rejection Voltage Regulater、输出数 1 Output,采用 SOT-89-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
查看技术资料

S-1410G30-K8T2U4

ABLIC

主要参数包括电源电压(最小值) 900 mV、电源电压(最大值) 6 V、类型 Timer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、原产国家或地区 日本,采用 TMSOP-8 封装。

半导体 > Clock & Timer ICs > Timers & Support Products
查看技术资料

S34ML01G300BHI010

SkyHigh Memory

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 BGA-63 封装。

半导体 > Memory ICs > NAND Flash
查看技术资料

S34ML01G300BHI013

SkyHigh Memory

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 BGA-63 封装。

半导体 > Memory ICs > NAND Flash
查看技术资料

S34ML01G300BHV010

SkyHigh Memory

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 BGA-63 封装。

半导体 > Memory ICs > NAND Flash
查看技术资料