CG8556AA
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Infineon Technologies
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Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
onsemi
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 30 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.26 V、最大浪涌电流 90 A,采用 TO-247-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管,主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 325 A、正向电流(If) 30 A、配置 Dual、恢复时间 60 ns,采用 TO-247 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 30 A、配置 Dual、正向电压(Vf) 1.26 V、最大浪涌电流 90 A,采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersABLIC
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3 V、输出电压范围 1~3.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS Voltage Regulator、输出数 1 Output,采用 HSNT-1010-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsABLIC
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3 V、输出电压范围 1~3.5 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 High Ripple Rejection Voltage Regulater、输出数 1 Output,采用 HSOP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsABLIC
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3 V、输出电压范围 1~3.5 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 High Ripple Rejection Voltage Regulater、输出数 1 Output,采用 SOT-89-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsABLIC
主要参数包括电源电压(最小值) 900 mV、电源电压(最大值) 6 V、类型 Timer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、原产国家或地区 日本,采用 TMSOP-8 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Timers & Support ProductsSkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 BGA-63 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashSkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 BGA-63 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND FlashSkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 BGA-63 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash