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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SS8050CBU

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SS8050CTA

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SS8050DBU

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SS8050DTA

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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SS80L

Rectron

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 80 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 25 A，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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STPS80150CW

STMicroelectronics

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 80 A (2 x 40 A)、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 TO-247 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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STPS80170CW

STMicroelectronics

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 80 A、重复反向电压（Vrrm） 170 V，采用 TO-247 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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STPS80170CWLY

STMicroelectronics

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 SG。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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STPS80H100CWLY

STMicroelectronics

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 175 C、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual、正向电流（If） 80 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 940 mV，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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STPS80H100CY

STMicroelectronics

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 80 A (2 x 40 A)、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-247-MAX 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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