原型号
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Infineon Technologies
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- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
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| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
- CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Infineon Technologies
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原型号
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Infineon Technologies
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原型号
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Infineon Technologies
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原型号
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Vishay Siliconix
- DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
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Vishay Siliconix
- DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
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Vishay Siliconix
- DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
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Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
R5640G305BB-E2-FE
Ricoh Electronic Devices Company
主要参数包括工作电源电压 25 V、输出电压 4.7 V、电池类型 Li-Ion, Li-Polymer、产品 Battery Protection、工作电源电流 2.5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementRHRG30120
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 1200 V、最大浪涌电流 300 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single、恢复时间 85 ns，采用 TO-247 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingRHRG3060
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 325 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single、恢复时间 45 ns，采用 TO-247 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingRHRG3060-F085
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 90 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single、恢复时间 45 ns，采用 TO-247-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingRHRG3060-F085
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 90 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single、恢复时间 45 ns，采用 TO-247-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRHRG3060CC
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 325 A、正向电流（If） 30 A、配置 Dual、恢复时间 45 ns，采用 TO-247 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingRS1G300GNTB
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 30 A，采用 HSOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETRURG3020CC
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 325 A、正向电流（If） 30 A、配置 Dual、恢复时间 50 ns，采用 TO-247 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingRURG3060
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 325 A、正向电流（If） 30 A、配置 Single、恢复时间 60 ns，采用 TO-247 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingRURG3060-F085
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 30 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 90 A，采用 TO-247-2 封装。
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