24AA256T/SM
Microchip Technology
- 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
28 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJ2500049Q | Diodes Incorporated |
| 2025-08-22 | 查看资料 |
| HX31250035 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| HX2125004Q | Diodes Incorporated |
| 2024-11-14 | 查看资料 |
| FJ2500011 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500042 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500054 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX21250020 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125021Q | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125025Z | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTBG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTWG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTXG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25YG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71256SA25YG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA258ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA25PB60PBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| 0W463-002-XDI | onsemi |
| 查看资料 | |
| CG9059AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9059AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| ESDA25B1 | STMicroelectronics |
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| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Microchip Technology
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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Eaton Electronics
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 250 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 344 V、击穿电压 237 V,采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 263 V、工作电压 214 V、钳位电压 344 V、峰值脉冲电流(Ipp) 1.2 A,采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsBourns
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 263 V、工作电压 214 V、最小工作温度 - 55 C。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5.25 V、最小双电源电压 +/- 4.75 V、工作电源电压 +/- 4.75 V to +/- 5.25 V,采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Microphone PreamplifiersTexas Instruments
主要参数包括双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5.25 V、最小双电源电压 +/- 4.75 V、工作电源电压 +/- 5.25 V、总谐波失真加噪声 0.0002 %、最小工作温度 - 40 C,采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Microphone PreamplifiersTexas Instruments
主要参数包括双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5.25 V、最小双电源电压 +/- 4.75 V、工作电源电压 +/- 5.25 V、总谐波失真加噪声 0.0002 %、最小工作温度 - 40 C,采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Microphone PreamplifiersTexas Instruments
主要参数包括双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5.25 V、最小双电源电压 +/- 4.75 V、工作电源电压 +/- 5.25 V、总谐波失真加噪声 0.0002 %、最小工作温度 - 40 C,采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Microphone PreamplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5.25 V、最小双电源电压 +/- 4.75 V, - 4.75 V,采用 SSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Microphone PreamplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 5.25 V、最小双电源电压 +/- 4.75 V, - 4.75 V,采用 SSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Microphone PreamplifiersSame Sky
该型号为传感器,主要参数包括工作电源电压 10 V、电源电压(最大值) 15 V、压力类型 Absolute、输出类型 Analog、工作压力 250 kPa、最小工作温度 - 40 C。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure Sensors