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原厂资料

7 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PI7C9X20303ULAZPEXDiodes Incorporated
  • PI7C9X2G304EVAZXAEX
2026-01-22查看资料
IHCM2321AAEG301N10Vishay
  • ICMS2321AGEG281N10
2025-09-11查看资料
G30H150CTFWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCTSP
2022-08-29查看资料
G30H150CTWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCT
2022-08-29查看资料
RHRG1560CC-F085onsemi
  • RURG3060CC-F085
2021-04-08查看资料
CG10167AAInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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CG10167AATInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

26 个原型号
原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注:厂商推荐
原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选
  • DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选
  • DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注:厂商推荐
原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选
  • DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PMEG3050CEPX

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流(If) 5 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V,采用 SOD-128-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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PMEG3050EP,115

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 5 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 315 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SOD-128-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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PMEG3050EP-QX

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 155 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流(If) 5 A、正向电压(Vf) 315 mV,采用 SOD-128-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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PT7M3808G30TAEX

Diodes Incorporated

主要参数包括电源电压(最大值) 6.5 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 Voltage Monitors、输出类型 Open Drain、阈值电压 2.79 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R5107G301A-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 900 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 CMOS, Open Drain、阈值电压 3 V、监控输入数 1 Input,采用 SSOP-8G-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R5107G301C-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

采用 SSOP-8G-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R5108G301A-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 1.5 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 CMOS, Open Drain、阈值电压 3 V、监控输入数 1 Input,采用 SSOP-8G-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R5109G301A-TR-FE

Ricoh Electronic Devices Company

采用 SSOP-8G-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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R5640G301BA-E2-FE

Ricoh Electronic Devices Company

主要参数包括工作电源电压 25 V、输出电压 4.7 V、电池类型 Li-Ion, Li-Polymer、产品 Battery Protection、工作电源电流 2.5 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 MSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery Management
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R5640G302BA-E2-FE

Ricoh Electronic Devices Company

主要参数包括工作电源电压 4~25 V、输出电压 4.35 V、电池类型 Li-Ion, Li-Polymer、产品 Battery Protection、工作电源电流 2.5 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 MSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery Management
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