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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
HX31540003	Diodes Incorporated	HX3A54001J	2025-06-16	查看资料
HX3154001Z	Diodes Incorporated	HX3A54002J	2025-06-16	查看资料
A54SX16P-2TQG176I	Microchip	A54SX32A-2PQG208I	2024-06-19	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

44 个原型号

原型号

CA5420AM

Renesas Electronics Corporation

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CA5420AMZRenesas Electronics Corporation直接替代候选

原型号

OPA548F/500G3

Texas Instruments

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OPA548F/500Texas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

VLA541-11R

Powerex Inc.

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VLA541-21RPowerex Inc.第三方标注：厂商推荐

原型号

XC6121A544MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121C544MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121A549MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121C549MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121C544MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A544MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121C549MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A549MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121D544MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A544MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121D549MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A549MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121E541ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A541ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

563 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S-L2980A54MC-TF-G

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.4 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最小值） 2 V，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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S-L2980A54MC-TF-U

ABLIC

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.4 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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SIJA54ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 47 A，采用 PowerPAK-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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SIJA54DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK、单件重量 0.004233 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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SIJA54DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 60 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.35 mOhms，采用 PowerPAK-SO-8-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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SIRA54ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 36.2 A，采用 SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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SIRA54DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK、单件重量 0.017870 oz，采用 PowerPAK-SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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SMA54

MACOM

RF Amplifier 5-500MHz NF 4.5dB Gain 27.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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SN65HVDA540QDR

Texas Instruments

该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、工作电源电流 70 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface IC

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STA540

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 22 V、电源电压（最小值） 8 V、工作电源电压 9 V, 12 V, 15 V, 18 V、类型 1-Channel Mono or 2-Channel Stereo or 4-Channel Stereo、输入类型 Single，采用 MULTIWATT V 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers

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