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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
查看资料
CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
查看资料
ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
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OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选
  • 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MCMA25PD1600TB

IXYS

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > SCR Modules
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MEA250-12DA

IXYS

该型号为半导体器件，主要参数包括类型 FRED Module、产品 Power Semiconductor Modules、正向电压（Vf） 1.54 V、反向电压（Vr） 1.2 kV、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 Y4-M6 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules
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MMA25312BT1

NXP / Freescale

主要参数包括工作频率 3 GHz、型号别名 935320097167、单件重量 0.000776 oz。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMA25312BT1

NXP Semiconductors

主要参数包括工作频率 3 GHz、型号别名 935320097167、单件重量 0.000776 oz。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MPSA25 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最小直流电流增益（hfe） 10000 at 5 V, 100 mA，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
查看技术资料

MPSA25 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最小直流电流增益（hfe） 10000 at 5 V, 100 mA，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA25 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最小直流电流增益（hfe） 10000 at 5 V, 100 mA，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
查看技术资料

MPSA25 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最小直流电流增益（hfe） 10000 at 5 V, 100 mA，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
查看技术资料

MPSA25 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最小直流电流增益（hfe） 10000 at 5 V, 100 mA，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
查看技术资料

MPSA25 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最小直流电流增益（hfe） 10000 at 5 V, 100 mA，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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