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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
1SMA5916BT3G-IRHW02onsemi
  • 1SMA5916BT3G
2022-06-30查看资料
1SMA5918BT3G-IRHW02onsemi
  • 1SMA5918BT3G
2022-06-30查看资料
1SMA5930BT3G-IRH2onsemi
  • 1SMA5930BT3G
2022-06-30查看资料
SZ1SMA5935BT3G-VF01onsemi
  • SZ1SMA5935BT3G
2022-06-30查看资料
1SMA5944BT3Gonsemi
  • 1SMB5944BT3G
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

5 个原型号
原型号

A4941KLPTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • A5947KLPTR-TAllegro MicroSystems相似型号
原型号

A5931GESTR-3-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 2 条候选
  • A89331GETSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
原型号

A5950GLPTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选
  • A5950KLPTR-TAllegro MicroSystems参数相近
原型号

AMT49701GEVATR

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • A5988GEVTR-1-TAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
原型号

TPIC6A595DWG4

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • TPIC6A595DWRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

604 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FDA59N30

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 59 A，采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FDA59N30

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 59 A，采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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INA592IDGKR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 65 mA、放大器类型 Precision、增益带宽积（GBP） 2 MHz，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Differential Amplifiers
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INA592IDGKT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 65 mA、放大器类型 Precision、增益带宽积（GBP） 2 MHz，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Differential Amplifiers
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INA592IDR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 65 mA、放大器类型 Difference、增益带宽积（GBP） 2 MHz，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Differential Amplifiers
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INA592IDRCR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 65 mA、技术 Si、放大器类型 High Precision，采用 VSON-10 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Differential Amplifiers
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INA592IDRCT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 65 mA、技术 Si、放大器类型 High Precision，采用 VSON-10 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Differential Amplifiers
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INA592IDRCTG4

Texas Instruments

Differential Amplifiers High-precision (40-u V offset) 2-MHz 88

半导体 > Amplifier ICs > Differential Amplifiers
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INA592IDT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 65 mA、放大器类型 Difference、增益带宽积（GBP） 2 MHz，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Differential Amplifiers
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INA597IDGKR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 65 mA、增益带宽积（GBP） 800 kHz、压摆率（SR） 18 V/us。

半导体 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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