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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FUS1DD_HF	Diodes Incorporated	HS1DDF-13	2025-07-23	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号

原型号

NXP USA Inc.

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

技术资料参考

43 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

ROHM Semiconductor

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.1～5 V、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2 A、类型 High Side、输出数 1 Output，采用 UCSP30L1-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution

ROHM Semiconductor

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.1～5 V、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 5 V、类型 Ultra Small、输出数 1 Output、导通电阻（最大值） 245 mOhms，采用 UCSP30L1 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-213AB(GL41) 封装。

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