SBR10B45P5-13D
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 PowerDI，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers搜索结果
原厂资料
17 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10100CTB-13-G | Diodes Incorporated |
| 2026-05-05 | 查看资料 |
| SBR10100CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR1040CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10100CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR1045CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR1045SP5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10E45P5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U100CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
SBR10B45P5-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 PowerDI，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10B45P5-7D
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 PowerDI，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10E45P5-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 420 mV，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10E45P5-13D
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 420 mV，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10E45P5-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 420 mV，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10E45P5-7D
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 420 mV，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10F
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.2 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersSBR10H300D1-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single Dual Anode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 300 V、正向电压（Vf） 920 mV，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10M100P5Q-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.78 V、正向浪涌电流（Ifsm） 220 A，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers