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原厂资料

11 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NRVTSA3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSA3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSAF3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
PDS3100-13-2477Diodes Incorporated
  • PDS3100-13
2023-05-15查看资料
HS3102-MC1Renesas
  • HS3101-MC1
2023-04-14查看资料
HS3102-ML1Renesas
  • HS3101-ML1
2023-04-14查看资料
HS3104Renesas
  • HS3103
2023-04-14查看资料
HS3104-MC1Renesas
  • HS3103-MC1
2023-04-14查看资料
HS3104-ML1Renesas
  • HS3103-ML1
2023-04-14查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

AUIPS1021R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

AUIPS2031R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

BTS3104SDLATMA1

Infineon Technologies

查看详情 · 3 条候选
  • BTS3104SDRATMA1Infineon Technologies参数相近
原型号

TPS3103K33DBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选
  • TPS3103K33DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

144 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

NPS3102AGBJ

Nexperia

该型号为集成电路，主要参数包括类型 Resettable Electronic Fuse、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH、型号别名 935691505118，采用 DFN-3030-10 封装。

半导体 > Power Management ICs > Power Switch ICs - Power Distribution
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NPS3102BGBJ

Nexperia

该型号为集成电路，主要参数包括类型 Resettable Electronic Fuse、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH、型号别名 935691508118，采用 DFN-3030-10 封装。

半导体 > Power Management ICs > Power Switch ICs - Power Distribution
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NRVBS3100T3G

ON Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.79 V，采用 SMC 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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NRVBS310FA

ON Semiconductor

该型号为二极管。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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PDS3100-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Barrier Rectifier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 POWERDIP-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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PDS3100Q-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 3 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.78 V、正向浪涌电流（Ifsm） 90 A，采用 PowerDI5 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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PDS3100Q-7

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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PMS310_R2_00601

Panjit

主要参数包括技术 Si、正向电压（Vf） 1.05 V、原产国家或地区 中国、反向电流（Ir） 3 A、反向电压（Vr） 1 kV、单件重量 0.010229 oz。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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RPMS310_R2_00601

Panjit

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1 kV，采用 M4-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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SCS310AGC16

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 82 A、反向电流（Ir） 50 uA，采用 TO-220ACGE-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes
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