S2JHR4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
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芯片技术资料
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S2JHR5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS2JHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS2JQ-LTP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersAES2JF-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SMAF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersCD214B-FS2J
Bourns
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 600 V、正向电压（Vf） 1.4 V、正向浪涌电流（Ifsm） 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersCD214B-S2J
Bourns
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 960 mV、最大浪涌电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersCS2J-E3/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.99 V，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersCS2J-E3/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 990 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2J
YAGEO
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
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