IS49RL36160-125EBLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
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IS49RL36160A-093EBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
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半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160A-107EBL
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主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最小值） 1.28 V、电源电压（最大值） 1.42 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位，采用 FBGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36320-093EBL
ISSI
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半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36320-093EBLI
ISSI
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