原型号
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Analog Devices Inc.
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- LM833DTSTMicroelectronics相似型号
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来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Analog Devices Inc.
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- LM833DTSTMicroelectronics相似型号
原型号
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- LM833DTSTMicroelectronics相似型号
原型号
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Analog Devices Inc.
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- LM833DTSTMicroelectronics相似型号
原型号
查看详情 · 16 条候选AD8672AR-REEL7
Analog Devices Inc.
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- LM833DTSTMicroelectronics相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选ADA4077-2ARZ-RL
Analog Devices Inc.
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- LM833DTSTMicroelectronics相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选ADM6315W31D2ARTZR7
Analog Devices Inc.
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- ADM8320WBX3NARJZR7Analog Devices Inc.相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选ADM6316BX32ARJZ-R7
Analog Devices Inc.
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- ADM8316WBX30ARJZR7Analog Devices Inc.相似型号
原型号
查看详情 · 13 条候选ADM6316CY29ARJ-RL7
Analog Devices Inc.
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- ADM8316WBX30ARJZR7Analog Devices Inc.相似型号
原型号
查看详情 · 5 条候选ADM6316DZ31ARJ-RL7
Analog Devices Inc.
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- ADM8316WBX30ARJZR7Analog Devices Inc.相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
HSM835G/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersHSM835Ge3/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersHSM835Ge3/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersHSM835J/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersHSM835J/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersHSM835Je3/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersHSM835Je3/TR13
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersIRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 HEXFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFHM8326TRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 19 A，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFHM8329TRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 HEXFET Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 PQFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET