ES3DVHR6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.9 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
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原厂资料
4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| U3D-E3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-E3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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ES3DVHR7G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、配置 Single、认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DVHV6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DVHV7G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
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