ES2JHM4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
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芯片技术资料
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ES2JHR4
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JHR4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JHR5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JSMA
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JWF-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.68 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2J_R1_00001
Panjit
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersAES2JF-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SMAF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersFES2JD_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
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