BZX84C9V1W-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BZX84C9V1WHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1W_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1W_R1_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1W_R2_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1W_R2_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 410 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1_R1_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 410 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1_R2_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 410 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1_R2_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 410 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes