BC856BMYL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006B-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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BC856BQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BQB-QZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8015-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BQBZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8015-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BQC-QZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-8009-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BS,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 200 mA，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BS,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 - 100 mA、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BS-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BS-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000317 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BSH RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-3 封装。
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