BAV70HDWQ-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 250 mA、配置 Dual、恢复时间 4 ns，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching搜索结果
原厂资料
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BAV70 | Diodes Incorporated |
| 2023-08-29 | 查看资料 |
| BAV70-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2026-01-26 | 查看资料 |
| BAV70Q-13-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAV70WQ-7-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| NSVBAV70DXV6T5G | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| BAV70-7-F-31 | Diodes Incorporated |
| 2020-11-17 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BAV70HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAV70HMFHT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 80 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 125 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70HMT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 90 V、最大浪涌电流 4000 mA、正向电流（If） 150 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70HYFHT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括频率范围 1 MHz、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 90 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Dual，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAV70HYT116
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括频率范围 1 MHz、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 90 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Dual，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAV70LP-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 300 mA、配置 Dual、恢复时间 4 ns，采用 X1-DFN1006-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 70 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAV70LT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 70 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual、恢复时间 6 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAV70LT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 70 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual，采用 SOT-23-3 封装。
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