BAS116VY-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 10 A、正向电流（If） 180 mA、配置 Triple、恢复时间 0.8 us，采用 TSSOP-6 封装。
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原厂资料
4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BAS116Q-13-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-13-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-7-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116LT3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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BAS116VYX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 10 A、正向电流（If） 180 mA、配置 Triple、恢复时间 0.8 us，采用 TSSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesNSVBAS116LT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingSBAS116LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。
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