R5F2LA87ANFA#V0
Renesas Electronics
该型号为16 位微控制器（MCU），主要参数包括湿敏性 是。
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技术资料参考
芯片技术资料
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SMA87
MACOM
RF Amplifier 10-400MHz NF 3.8dB Gain 14.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMA87-1
MACOM
RF Amplifier 10-400MHz NF 3.4dB Gain 16.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMA87-2
MACOM
RF Amplifier 10-300MHz NF 3.0dB Gain 16.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTPS7A8701RTJR
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 Adj、输出电压范围 800 mV to 5.2 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Adjustable、类型 Low Noise，采用 QFN-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTPS7A8701RTJT
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 Adj、输出电压范围 800 mV to 5.2 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Adjustable、类型 Dual Low Noise LDO，采用 QFN-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTSA874CW RP
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTTSA874CW RPG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT