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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
SURA8210T3G	onsemi	NRVUA210VT3G	2021-07-07	查看资料
SURA8240T3G	onsemi	SURA8240T3G-VF01	2021-07-07	查看资料
INA826AIDGK	Texas Instruments	INA823DGKT INA823DGKR INA826AIDGKR		查看资料
OPA637	Texas Instruments	OPA828 OPA627		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

16 个原型号

原型号

A8293SESTR-T

Allegro MicroSystems

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A8304SESTR-TAllegro MicroSystems相似型号

原型号

A8293SETTR-T

Allegro MicroSystems

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A8304SESTR-TAllegro MicroSystems相似型号

原型号

AD797BRZ-REEL

Analog Devices Inc.

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INA828IDRTexas Instruments相似型号

原型号

AD8057ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

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OPA820IDTexas Instruments相似型号

原型号

EL5156IS-T13

Renesas Electronics Corporation

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OPA820IDRTexas Instruments相似型号

原型号

LM4040B82IDBZT

Texas Instruments

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LM4040A82IDBZRTexas Instruments参数相近

原型号

LM4040BIM3X-8.2

Texas Instruments

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LM4040A82IDBZRTexas Instruments参数相近

原型号

LM4050BIM3X-8.2

Texas Instruments

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LM4040A82IDBZRTexas Instruments相似型号

原型号

LT1168ACS8#TRPBF

Analog Devices Inc.

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INA828IDTexas Instruments相似型号

原型号

OPA627BP

Texas Instruments

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OPA828IDRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

152 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

DRA821U2CGBALM

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1 GHz, 2 GHz、数据 RAM 容量 512 kB, 1 MB、输入／输出数 141 个输入／输出、定时器／计数器数 30 个定时器、工作电源电压 800 mV、输入／输出电压 1.8 V, 3.3 V，采用 FCBGA-433 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA821U2CGBALMR

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 1 GHz, 2 GHz、数据 RAM 容量 512 kB, 1 MB、输入／输出数 141 个输入／输出、定时器／计数器数 30 个定时器、工作电源电压 800 mV、输入／输出电压 1.8 V, 3.3 V，采用 FCBGA-433 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA821U4TCBALMQ1

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、输入／输出数 141 个输入／输出、定时器／计数器数 30、工作电源电压 800 mV、接口类型 I2C, SPI, UART、指令类型 Fixed Point，采用 FCBGA-433 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA821U4TCBALMRQ1

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、输入／输出数 141 个输入／输出、定时器／计数器数 30 个定时器、工作电源电压 800 mV、接口类型 I2C, SPI, UART, USB、指令类型 Fixed Point，采用 FCBGA-433 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA821U4TGBALM

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、数据 RAM 容量 1 MB、输入／输出数 141 个输入／输出、工作电源电压 1.8 V、接口类型 I2C, SPI, UART、内核 ARM Cortex A72, ARM Cortex R5F，采用 FCBGA-433 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA821U4TGBALMR

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、数据 RAM 容量 1 MB、输入／输出数 141 个输入／输出、工作电源电压 1.8 V、接口类型 I2C, SPI, UART、内核 ARM Cortex A72, ARM Cortex R5F，采用 FCBGA-433 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA829JMTGCALFR

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、数据 RAM 容量 1 MB、输入／输出数 226 个输入／输出、定时器／计数器数 30、工作电源电压 800 mV、输入／输出电压 1.8 V，采用 FCBGA-827 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA829JMTGCALFRQ1

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、数据 RAM 容量 1 MB、输入／输出数 226 个输入／输出、定时器／计数器数 30、工作电源电压 800 mV、输入／输出电压 1.8 V，采用 FCBGA-827 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA829VMTGCALFR

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、数据 RAM 容量 1 MB、输入／输出数 226 个输入／输出、定时器／计数器数 30、工作电源电压 800 mV、输入／输出电压 1.8 V，采用 FCBGA-827 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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DRA829VMTGCALFRQ1

Texas Instruments

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、数据 RAM 容量 1 MB、输入／输出数 226 个输入／输出、定时器／计数器数 30、工作电源电压 800 mV、输入／输出电压 1.8 V，采用 FCBGA-827 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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