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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

R8A774C0HA01BG#G0

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • R8A774C0HA01BG#GARenesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

152 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CZTA77 TR

Central Semiconductor

该型号为晶体管，采用 SOT-223 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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HH80556JG0254M S LAG7

Intel

主要参数包括型号别名 891705。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units
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HH80556JG0494M S LAG5

Intel

主要参数包括商品名称 Xeon、型号别名 891697。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units
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MPSA77

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、最大集电极截止电流 0.1 uA，采用 TO-92 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA77 APM

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MPSA77 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA77 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA77 APP PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA77 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA77 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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